EPC8010 - GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
742224 Pieces
Preço de referência
USD 0.441
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Especificações para EPC8010

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : EPC8010
Fabricante : EPC
Descrição : GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE
Series : eGaN®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.48nC @ 5V
Vgs (máx.) : +6V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 55pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die
Pacote / caso : Die
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : EP , EPC

Documentos para EPC8010

Folhas de dados : EPC8010.pdf

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