IXTY1R4N120PHV - MOSFET N-CH

Número da peça de fabricante

IXTY1R4N120PHV

Número de peça interno

ABC-IXTY1R4N120PHV

Fabricante

IXYS

Descrição breve

MOSFET N-CH

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

290948 Pieces

Preço de referência

~~USD 1.125~~

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Especificações para IXTY1R4N120PHV

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IXTY1R4N120PHV

Fabricante : IXYS

Descrição : MOSFET N-CH

Series : Polar™

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 Ohm @ 700mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 24.8nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 666pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 86W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252

Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IXTY , IXTY1R4

Documentos para IXTY1R4N120PHV

Folhas de dados : IXTY1R4N120PHV.pdf

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