TK4A60DB(STA4,Q,M) - MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS

Número da peça de fabricante

TK4A60DB(STA4,Q,M)

Número de peça interno

ABC-TK4A60DB(STA4,Q,M)

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

51072 Pieces

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Especificações para TK4A60DB(STA4,Q,M)

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : TK4A60DB(STA4,Q,M)

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição : MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS

Series : π-MOSVII

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.7A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 35W (Tc)

Temperatura de operação : 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220SIS

Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : TK4A60 , TK4A60DB(

Documentos para TK4A60DB(STA4,Q,M)

Folhas de dados : TK4A60DB(STA4,Q,M).pdf

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