S4PJHM3_A/I - DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
ABC-S4PJHM3_A/I
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
3247265 Pieces
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Especificações para S4PJHM3_A/I
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : S4PJHM3_A/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
Series : Automotive, AEC-Q101, eSMP®
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 4A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 4A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 2.5µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-277, 3-PowerDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-277A (SMPC)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para S4PJHM3_A/I
Folhas de dados : S4PJHM3_A/I.pdf
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