BSZ900N20NS3GATMA1 - MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON

Número da peça de fabricante

BSZ900N20NS3GATMA1

Número de peça interno

ABC-BSZ900N20NS3GATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

872319 Pieces

Preço de referência

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Especificações para BSZ900N20NS3GATMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : BSZ900N20NS3GATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON

Series : OptiMOS™

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 15.2A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 30µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11.6nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 920pF @ 100V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 62.5W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TSDSON-8

Pacote / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : BSZ900 , BSZ900N20

Documentos para BSZ900N20NS3GATMA1

Folhas de dados : BSZ900N20NS3GATMA1.pdf

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