EPC2103ENG - GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
ABC-EPC2103ENG
Fabricante
Descrição breve
GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
52897 Pieces
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Especificações para EPC2103ENG
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : EPC2103ENG
Fabricante : EPC
Descrição : GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
Series : eGaN®
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 7mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 40V
Potência - Max : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para EPC2103ENG
Folhas de dados : EPC2103ENG.pdf
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