SIS778DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Número da peça de fabricante

SIS778DN-T1-GE3

Número de peça interno

ABC-SIS778DN-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

40846 Pieces

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Especificações para SIS778DN-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SIS778DN-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Series : -

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 42.5nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1390pF @ 15V

Recurso FET : Schottky Diode (Body)

Dissipação de energia (máx.) : 52W (Tc)

Temperatura de operação : -50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® 1212-8

Pacote / caso : PowerPAK® 1212-8

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SIS77 , SIS778D

Documentos para SIS778DN-T1-GE3

Folhas de dados : SIS778DN-T1-GE3.pdf

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