SI4477DY-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC

Número da peça de fabricante

SI4477DY-T1-GE3

Número de peça interno

ABC-SI4477DY-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

950411 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.3444~~

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Especificações para SI4477DY-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI4477DY-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 26.6A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.2 mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±12V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4600pF @ 10V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 3W (Ta), 6.6W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO

Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI447 , SI4477D

Documentos para SI4477DY-T1-GE3

Folhas de dados : SI4477DY-T1-GE3.pdf

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