IPG20N10S4L22ATMA1 - MOSFET 2N-CH 8TDSON

Número da peça de fabricante

IPG20N10S4L22ATMA1

Número de peça interno

ABC-IPG20N10S4L22ATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET 2N-CH 8TDSON

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

849338 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.385385~~

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Especificações para IPG20N10S4L22ATMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IPG20N10S4L22ATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET 2N-CH 8TDSON

Series : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Status da Peça : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Recurso FET : Logic Level Gate

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 25µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1755pF @ 25V

Potência - Max : 60W

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : 8-PowerVDFN

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TDSON-8-4

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IPG20N , IPG20N10S

Documentos para IPG20N10S4L22ATMA1

Folhas de dados : IPG20N10S4L22ATMA1.pdf

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