IPD180N10N3GBTMA1 - MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Número da peça de fabricante

IPD180N10N3GBTMA1

Número de peça interno

ABC-IPD180N10N3GBTMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1416982 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.231~~

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Especificações para IPD180N10N3GBTMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IPD180N10N3GBTMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Series : OptiMOS™

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 43A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 33µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 50V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 71W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO252-3

Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IPD18 , IPD180N1

Documentos para IPD180N10N3GBTMA1

Folhas de dados : IPD180N10N3GBTMA1.pdf

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