GP2M002A065PG - MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

Número da peça de fabricante

GP2M002A065PG

Número de peça interno

ABC-GP2M002A065PG

Fabricante

Global Power Technologies Group

Descrição breve

MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

84064 Pieces

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Especificações para GP2M002A065PG

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : GP2M002A065PG

Fabricante : Global Power Technologies Group

Descrição : MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

Series : -

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.8A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 Ohm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.5nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 353pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 52W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I-PAK

Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : GP2M , GP2M00

Documentos para GP2M002A065PG

Folhas de dados : GP2M002A065PG.pdf

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