SI5908DC-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

Número da peça de fabricante

SI5908DC-T1-GE3

Número de peça interno

ABC-SI5908DC-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

997934 Pieces

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Especificações para SI5908DC-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI5908DC-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Recurso FET : Logic Level Gate

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -

Potência - Max : 1.1W

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : 8-SMD, Flat Lead

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 1206-8 ChipFET™

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI590 , SI5908D

Documentos para SI5908DC-T1-GE3

Folhas de dados : SI5908DC-T1-GE3.pdf

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