SQD100N04-3M6_GE3 - MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Número da peça de fabricante

SQD100N04-3M6_GE3

Número de peça interno

ABC-SQD100N04-3M6_GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

839685 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.389815~~

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Especificações para SQD100N04-3M6_GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SQD100N04-3M6_GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6700pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 136W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252AA

Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SQD10 , SQD100N0

Documentos para SQD100N04-3M6_GE3

Folhas de dados : SQD100N04-3M6_GE3.pdf

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