IAUC120N04S6N009ATMA1 - MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8

Número da peça de fabricante

IAUC120N04S6N009ATMA1

Número de peça interno

ABC-IAUC120N04S6N009ATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

506968 Pieces

Preço de referência

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Especificações para IAUC120N04S6N009ATMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IAUC120N04S6N009ATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8

Series : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.9 mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.4V @ 90µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 115nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7360pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 150W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TDSON-8

Pacote / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IAUC120 , IAUC120N04

Documentos para IAUC120N04S6N009ATMA1

Folhas de dados : IAUC120N04S6N009ATMA1.pdf

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