SIS606BDN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Número da peça de fabricante

SIS606BDN-T1-GE3

Número de peça interno

ABC-SIS606BDN-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

928312 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.3526~~

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Especificações para SIS606BDN-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SIS606BDN-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Series : TrenchFET® Gen IV

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9.4A (Ta), 35.3A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.4 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1470pF @ 50V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® 1212-8

Pacote / caso : PowerPAK® 1212-8

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SIS60 , SIS606BD

Documentos para SIS606BDN-T1-GE3

Folhas de dados : SIS606BDN-T1-GE3.pdf

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