SI4972DY-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

Número da peça de fabricante

SI4972DY-T1-GE3

Número de peça interno

ABC-SI4972DY-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

51649 Pieces

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Especificações para SI4972DY-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI4972DY-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Recurso FET : Standard

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10.8A, 7.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 10V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1080pF @ 15V

Potência - Max : 3.1W, 2.5W

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI497 , SI4972D

Documentos para SI4972DY-T1-GE3

Folhas de dados : SI4972DY-T1-GE3.pdf

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