IXTA1R6N100D2 - MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK

Número da peça de fabricante

IXTA1R6N100D2

Número de peça interno

ABC-IXTA1R6N100D2

Fabricante

IXYS

Descrição breve

MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

335713 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.975~~

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Especificações para IXTA1R6N100D2

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IXTA1R6N100D2

Fabricante : IXYS

Descrição : MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 800mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 5V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 645pF @ 25V

Recurso FET : Depletion Mode

Dissipação de energia (máx.) : 100W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263 (IXTA)

Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IXTA , IXTA1R

Documentos para IXTA1R6N100D2

Folhas de dados : IXTA1R6N100D2.pdf

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