TH58BYG2S3HBAI6 - IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
ABC-TH58BYG2S3HBAI6
Fabricante
Descrição breve
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
135032 Pieces
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Especificações para TH58BYG2S3HBAI6
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : TH58BYG2S3HBAI6
Fabricante : Toshiba Memory America, Inc.
Descrição : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Series : Benand™
Status da Peça : Active
Tipo de memória : Non-Volatile
Formato de memória : FLASH
Tecnologia : FLASH - NAND (SLC)
Tamanho da memória : 4Gb (512M x 8)
Freqüência do relógio : -
Escrever tempo de ciclo - Word, página : 25ns
Tempo de acesso : 25ns
Interface de memória : Parallel
Tensão - fonte : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de operação : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 67-VFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 67-VFBGA (6.5x8)
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para TH58BYG2S3HBAI6
Folhas de dados : TH58BYG2S3HBAI6.pdf
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