RQ3E180AJTB - MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Número da peça de fabricante

RQ3E180AJTB

Número de peça interno

ABC-RQ3E180AJTB

Fabricante

Rohm Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1615215 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.20265~~

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Especificações para RQ3E180AJTB

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : RQ3E180AJTB

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Ta), 30A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 11mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 4.5V

Vgs (máx.) : ±12V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4290pF @ 15V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta), 30W (Tc)

Temperatura de operação : 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-HSMT (3.2x3)

Pacote / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : RQ3 , RQ3E1

Documentos para RQ3E180AJTB

Folhas de dados : RQ3E180AJTB.pdf

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