RQ3E180AJTB - MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1615215 Pieces
Preço de referência
USD 0.20265
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Especificações para RQ3E180AJTB

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : RQ3E180AJTB
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Ta), 30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 11mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4290pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-HSMT (3.2x3)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : RQ3 , RQ3E1

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