FDS86267P - MOSFET P-CH 150V

Número da peça de fabricante

FDS86267P

Número de peça interno

ABC-FDS86267P

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

MOSFET P-CH 150V

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1002813 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.326405~~

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Especificações para FDS86267P

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : FDS86267P

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : MOSFET P-CH 150V

Series : PowerTrench®

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 150V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.2A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 255 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±25V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1130pF @ 75V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 1W (Ta)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOIC

Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : FDS , FDS8

Documentos para FDS86267P

Folhas de dados : FDS86267P.pdf

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