ES6U1T2R - MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
ABC-ES6U1T2R
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
4907413 Pieces
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Especificações para ES6U1T2R
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : ES6U1T2R
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 6V
Recurso FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) : 700mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-WEMT
Pacote / caso : SOT-563, SOT-666
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para ES6U1T2R
Folhas de dados : ES6U1T2R.pdf
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