SI5517DU-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Número da peça de fabricante

SI5517DU-T1-GE3

Número de peça interno

ABC-SI5517DU-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1250277 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.2618~~

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Especificações para SI5517DU-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI5517DU-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : N and P-Channel

Recurso FET : Logic Level Gate

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 8V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 520pF @ 10V

Potência - Max : 8.3W

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : PowerPAK® ChipFET™ Dual

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® ChipFet Dual

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI551 , SI5517D

Documentos para SI5517DU-T1-GE3

Folhas de dados : SI5517DU-T1-GE3.pdf

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