DMN2005UFG-13 - MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Número da peça de fabricante

DMN2005UFG-13

Número de peça interno

ABC-DMN2005UFG-13

Fabricante

Diodes Incorporated

Descrição breve

MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

2386440 Pieces

Preço de referência

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Especificações para DMN2005UFG-13

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : DMN2005UFG-13

Fabricante : Diodes Incorporated

Descrição : MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18.1A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 164nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±12V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6495pF @ 10V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 1.05W (Ta)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerDI3333-8

Pacote / caso : 8-PowerWDFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : DMN2 , DMN200

Documentos para DMN2005UFG-13

Folhas de dados : DMN2005UFG-13.pdf

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