QJD1210011 - MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
ABC-QJD1210011
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
60658 Pieces
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Especificações para QJD1210011
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : QJD1210011
Fabricante : Powerex Inc.
Descrição : MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 10mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 500nC @ 20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 10200pF @ 800V
Potência - Max : 900W
Temperatura de operação : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para QJD1210011
Folhas de dados : QJD1210011.pdf
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