SI8823EDB-T2-E1 - MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT

Número da peça de fabricante

SI8823EDB-T2-E1

Número de peça interno

ABC-SI8823EDB-T2-E1

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

5375230 Pieces

Preço de referência

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Especificações para SI8823EDB-T2-E1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI8823EDB-T2-E1

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT

Series : TrenchFET® Gen III

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.7A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V

Vgs (máx.) : ±8V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 580pF @ 10V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 900mW (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)

Pacote / caso : 4-XFBGA

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI882 , SI8823E

Documentos para SI8823EDB-T2-E1

Folhas de dados : SI8823EDB-T2-E1.pdf

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