SIZ998DT-T1-GE3 - MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Número da peça de fabricante

SIZ998DT-T1-GE3

Número de peça interno

ABC-SIZ998DT-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

955269 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.34265~~

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Especificações para SIZ998DT-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SIZ998DT-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual), Schottky

Recurso FET : Standard

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V

Potência - Max : 20.2W, 32.9W

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : 8-PowerWDFN

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PowerPair®

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SIZ99 , SIZ998D

Documentos para SIZ998DT-T1-GE3

Folhas de dados : SIZ998DT-T1-GE3.pdf

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