SISH106DN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Número da peça de fabricante

SISH106DN-T1-GE3

Número de peça interno

ABC-SISH106DN-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

804776 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.40672~~

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Especificações para SISH106DN-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SISH106DN-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12.5A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 4.5V

Vgs (máx.) : ±12V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 1.5W (Ta)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® 1212-8SH

Pacote / caso : PowerPAK® 1212-8SH

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SISH1 , SISH106D

Documentos para SISH106DN-T1-GE3

Folhas de dados : SISH106DN-T1-GE3.pdf

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