SI1013X-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Número da peça de fabricante

SI1013X-T1-GE3

Número de peça interno

ABC-SI1013X-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

4160198 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.07868~~

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Especificações para SI1013X-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI1013X-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 350mA (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 250µA (Min)

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1.5nC @ 4.5V

Vgs (máx.) : ±6V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 250mW (Ta)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SC-89-3

Pacote / caso : SC-89, SOT-490

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI10 , SI1013X

Documentos para SI1013X-T1-GE3

Folhas de dados : SI1013X-T1-GE3.pdf

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