RF4E100AJTCR - MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
2074821 Pieces
Preço de referência
USD 0.15776
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Especificações para RF4E100AJTCR

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : RF4E100AJTCR
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.4 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1460pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : HUML2020L8
Pacote / caso : 8-PowerUDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : RF4E , RF4E10

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