TSM60NB190CI C0G - MOSFET N-CH 600V 18A ITO220

Número da peça de fabricante

TSM60NB190CI C0G

Número de peça interno

ABC-TSM60NB190CI C0G

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Descrição breve

MOSFET N-CH 600V 18A ITO220

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

229691 Pieces

Preço de referência

~~USD 1.425~~

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Especificações para TSM60NB190CI C0G

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : TSM60NB190CI C0G

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrição : MOSFET N-CH 600V 18A ITO220

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1273pF @ 100V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 33.8W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ITO-220AB

Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : TSM60 , TSM60NB1

Documentos para TSM60NB190CI C0G

Folhas de dados : TSM60NB190CI C0G.pdf

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