SIB412DK-T1-E3 - MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Número da peça de fabricante

SIB412DK-T1-E3

Número de peça interno

ABC-SIB412DK-T1-E3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

29682 Pieces

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Especificações para SIB412DK-T1-E3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SIB412DK-T1-E3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 6.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10.16nC @ 5V

Vgs (máx.) : ±8V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 535pF @ 10V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 2.4W (Ta), 13W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SC-75-6L Single

Pacote / caso : PowerPAK® SC-75-6L

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SIB4 , SIB412D

Documentos para SIB412DK-T1-E3

Folhas de dados : SIB412DK-T1-E3.pdf

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